UVLED（紫外LED）由夾在較薄GaN三明治結構中給一個或多個InGaN量子阱組成，形成的有源區為覆層。通過改變InGaN量子阱中InN-GaN的相對比例，發射波長可由紫光

變到其他光。AlGaN通過改變AlN比例能用于制作UVLED中的覆層和量子阱層，但這些器件的效率和成熟度較差。如果有源量子阱層是GaN，與之相對是InGaN或AlGaN合金，

則器件發射的光譜范圍為350~370nm。

當藍色InGaN發光二極管泵處短的電子脈沖時，則產生紫外線輻射。含鋁的氮化物，特別是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波長的器件，獲得系列波長的UVLED。波長可達

247nm的二極管已經商業化，基于氮化鋁、可發射210nm紫外線輻射的LED已研制成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。

III-V族金屬氮化物基的半導體非常適合于制作紫外輻射源。以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，電子和空穴在復合時所輻射的能量在1.89~6.2eV。如果LED

的活性層單純由GaN或AlGaN構成，則其紫外輻射效率很低，因為電子和空穴之間的復合為非輻射復合。如果在該層當中摻雜少量的金屬In，活性層局部的能級就會發生變化，

此時，電子和空穴就會發生輻射復合。因此，當在活性層中摻雜了金屬銦之后，380nm處的輻射效率要比不摻雜的高大約19倍。